1、SK海力士CEO郭鲁正：DeepSeek为半导体带来更大机遇，预计NAND市场年底将复苏

  据韩媒etnews报道，SK海力士CEO郭鲁正近日在接受媒体采访时表示，中国初创公司DeepSeek的生成人工智能模型将对半导体行业产生长期积极影响。“现在谈论具体产品并不合适，短期内可能会有起伏，但最终会在AI的普及中发挥巨大作用”。

  业界担心强调“成本效益”的DeepSeek AI出现会导致高价HBM需求放缓，对此，郭鲁正表示，“AI会成为全面渗透、普及产业与社会的契机，长期刺激半导体需求，为半导体带来更大机遇。”

  至于需求表现疲弱的NAND Flash市场，预计年底将出现复苏。郭鲁正表示：“我认为情况很快就会好转，因为整个行业都在努力稳定市场。”

  对于美国总统特朗普宣布的对半导体征收25%关税，他表示，“目前还没有具体消息，所以不能透露太多，我认为等事情详细了再谈比较好。”

  铠侠与闪迪全新3D闪存创新技术与其革命性的 CBA（CMOS直接键合到阵列）技术近日亮相ISSCC 2025。

  全新3D闪存技术采用最新接口标准之一，用于 NAND 闪存的 Toggle DDR6.0，并利用了 SCA（单独命令地址）协议、其接口的新型命令地址输入方法和PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术，有助于逐步降低功耗。

  通过采用这一独特的高速技术，两家公司预计新型3D闪存接口速度将较其正在量产的第8代产品提升33%，达到4.8Gb/s的接口速率。该技术还能提升数据输入/输出的能效，使输入功耗降低10%、输出功耗减少34%，以此来实现高性能与低功耗的平衡。展望第10代3D闪存技术，两家公司详细说明通过将存储层数增加至332层，并优化平面布局以提高面密度，该技术将使位密度提升59%。

  对于即将推出的第9代3D 闪存，借助其独特的 CBA 技术，Kioxia 和 Sandisk可将新的 CMOS 技术与现有的存储单元技术相结合，以提供低成本、高性能、低功耗的产品。双方将继续致力于开发尖端闪存技术，提供实现用户需求的定制解决方案，并为数字社会的进步做出贡献。

  铠侠首席技术执行官柳茂知先生将亮相CFMS｜MemoryS 2025，并发表精彩主题演讲，敬请关注！报名通道：峰会官网（）或“闪存市场”APP。

  性能方面，美光 4600 SSD连续读取速度为 14.5 GB/s，写入速度为 12.0 GB/s。这些功能使用户能在不到一秒的时间内将大型语言模型 (LLM) 从 SSD 加载到 DRAM，从而增强了 AI PC 的使用者真实的体验。对于 AI 模型加载时间，与 Gen4 性能 SSD 相比，4600 SSD 可将加载时间缩短高达62%，3从而确保快速部署 LLM 和其他 AI 工作负载。此外，与 Gen4 SSD相比，4600 SSD能效提高了 107%（MB/s/瓦），从而延长了电池使用寿命并提高了整体系统效率。

  美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将亮相CFMS｜MemoryS 2025，并发表精彩主题演讲！报名通道：峰会官网（）或“闪存市场”APP。

  继1月推出7.2mm×7.2mm的超小尺寸eMMC后，江波龙再次推出穿戴存储力作——0.6mm（max）超薄ePOP4x，实现了更精简的穿戴物理布局。

  与标准存储方案相比，ePOP4x采用了创新的封装技术和高度集成设计，最大厚度仅为0.6mm（max），相比上一代0.8mm厚度产品减少了近25%，是当前市场上最薄的ePOP产品之一。ePOP4x产品将eMMC和LPDDR4x集成于一体，提供32GB+16Gb和64GB+16Gb的市场主流容量组合，实现了Flash与DRAM的二合一，并采用性能更强的控制器，支持LDPC纠错，满足多种智能穿戴设备对于存储空间和运行内存的多样化需求。

  此外，ePOP4x采用Package on Package（PoP）封装方式，将芯片直接贴装在SoC主芯片上，极大地节省了PCB占用空间，为尺寸受限的智能穿戴设备提供了更优的嵌入式复合存储方案。

  江波龙董事长蔡华波先生将亮相CFMS｜MemoryS 2025，并发表精彩主题演讲！报名通道：峰会官网（）或“闪存市场”APP。

  虽然目前各大主板制造商均已兼容单条64GB内存，但内存生产商尚未推出量产并上市销售的相关这类的产品。美光64GB Crucial DDR5 Pro内存为业界首发。

  3月12日，CFMS｜MemoryS 2025与您再度相约深圳前海JW万豪酒店，以“存储格局、价值重塑”为主题，旨在探讨技术和产品创新如何为客户创造更大价值，以“价值”为导向实现存储产业链的重塑、推动产业的升级。